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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹:
該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),并參考美國(guó) ASTM 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,專用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的專用儀器。
儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成,測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示,亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析,然后以表格,圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。
詳情介紹:
測(cè)量半導(dǎo)電電阻率時(shí): 電阻率10-4--105Ω-cm;分辯率10-6Ω-cm
測(cè)量其他(電線電纜)電阻時(shí): 電阻10-4--2X105Ω,分辨率1uΩ
二、 數(shù)字電壓表:
1. 量程 2 mV、20 mV、200 mV、2V
2. 測(cè)量誤差 2mA檔±(0.5%讀數(shù)+8字);20mV—2V擋±(0.5%讀數(shù)+2字)
3. 顯示4 1/2 位數(shù)字顯示0—19999具有極性和過載自動(dòng)顯示,小數(shù)點(diǎn)、單位自動(dòng)顯示。
三、 恒流源:
1. 電流輸出:10μA、100μA、1mA、10mA、100mA.
2. 電流誤差:±(0.5%讀數(shù)+2字)
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